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MOS管驱动-解析MOS管寄生参数带来的影响与驱动电路要点概述-KIA MOS管

MOS管驱动电路，跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电...

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www.kiaic.com/article/detail/1615.html 2019-04-30

KNX1906B 230A/60V规格书、封装-MOS管原厂供货免费送样-KIA MOS管

MOS管KNX1906B 230A/60V主要参数：型号：KNX1906B工作方式：230A/60V漏源电压：60V栅源电压：±25V最高结温：175oC脉冲漏极电流：880A雪崩电流:40A雪崩能量:800mJ漏源击穿电压:60V输入电容：6110pF输出电容：1020pF反向转移电容:771pF

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www.kiaic.com/article/detail/1614.html 2019-04-30

Cool-MOS原理、结构、制造方法概述及Cool-MOS的优势与问题-KIA MOS管

Cool-MOS原理与Cool-MOS优势与问题，对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。但是对...

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www.kiaic.com/article/detail/1613.html 2019-04-29

MOS管原厂KIA品牌 KIA50N06B可替代FQP50N06规格书-KIA MOS管

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半导体公司，?深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，文...

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www.kiaic.com/article/detail/1611.html 2019-04-29

KIA2300可替代SI2300 MOS管规格书下载-MOS管原厂自主研发-KIA MOS管

MOS管KIA2300可替代SI2300，KIA半导体主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。文中...

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www.kiaic.com/article/detail/1610.html 2019-04-28

MOS管 KNX3406A 80A/60V原厂正品-MOS管封装|规格书|价格-KIA MOS管

MOS管 3406/KNX3406A 80A/60V主要参数：型号：KNX3406A工作方式：80A/60V漏源电压：60V栅源电压:±25 V脉冲漏电流:280A雪崩电流:20A雪崩能源:225mJ漏源击穿电压:60V二极管连续正向电流:80A输入电容：6050pF输出电容：170pF反向转移电容：100pF

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www.kiaic.com/article/detail/1609.html 2019-04-28

简单实用教你如何把开关电源设计达到线性电源水平-KIA MOS管

本文主要是解析如何把开关电源设计达到线性电源水平。这里先介绍一下开关电源基本知识，又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的...

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www.kiaic.com/article/detail/1608.html 2019-04-28

原厂MOS管价格优势 KNX9130A替代FQA40N25 PDF文件下载-KIA MOS管

KIA半导体MOS管KNX9130A替代FQA40N25，KIA MOS管KNX9130A相比FQA40N25在价格上有很大优势。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体从设计研发到制...

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www.kiaic.com/article/detail/1602.html 2019-04-26

解析MOS管电子元器件现状与面临如何挑战 MOS管发展趋势-KIA MOS管

MOS管的现状与挑战，mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端...

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www.kiaic.com/article/detail/1607.html 2019-04-26

功率MOS管驱动电路图文分析与功率MOS管保护电路设计解析-KIA MOS管

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率MOS管保护电路设计，...

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www.kiaic.com/article/detail/1606.html 2019-04-26